FDG8842CZ 与 DMG1016UDW-7 区别
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规格信息
型号	FDG8842CZ	DMG1016UDW-7
吃瓜编号	A3t-FDG8842CZ	A-DMG1016UDW-7
制造商	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	通用MOSFET	小信号MOSFET
描述	Dual N & P-Channel 400 mOhm Complementary PowerTrench MOSFET-SC-70-6	Dual N & P-Channel 20 V 450 mOhm Enhancement Mode Mosfet
数据表		DMG1016UDW-7.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	3/10W	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	400 毫欧 @ 750mA,4.5V	450mΩ@600mA,4.5V
上升时间	-	7.4ns,8.1ns
漏源极电压Vds	30V,25V	20V
Pd-功率耗散(Max)	300mW	330mW
Qg-栅极电荷	-	736.6nC,622.4pC
栅极电压Vgs	-	±6V
典型关闭延迟时间	-	26.7ns,28.4ns
FET类型	N+P-Channel	N+P-Channel
封装/外壳	SC-70-6	SOT-363
连续漏极电流Id	750mA,410mA	1.066A,845mA
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
系列	PowerTrench®	DMG1016
通道数量	-	2Channel
配置	-	Dual
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	120pF @ 10V	60.67pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	1.44nC @ 4.5V	0.74nC @ 4.5V
下降时间	-	12.3ns,20.72ns
典型接通延迟时间	-	5.1ns,5.1ns
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	120pF @ 10V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	1.44nC @ 4.5V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
FDG8842CZ	ON Semiconductor		通用MOSFET	30V,25V 750mA,410mA 400m Ohms@750mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 N+P-Channel 400 毫欧 @ 750mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-70-6	暂无价格	0	当前型号
DMG1016UDW-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel	暂无价格	0	对比
DMG1016UDW-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel	暂无价格	0	对比
SI1539CDL-T1-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	N+P-Channel 700mA,500mA 388mΩ@600mA,10V 340mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 30V 700mA 323mΩ,740mΩ	暂无价格	50	对比
SI1539CDL-T1-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	N+P-Channel 700mA,500mA 388mΩ@600mA,10V 340mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 30V 700mA 323mΩ,740mΩ	暂无价格	0	对比