SI2304DDS-T1-GE3 与 BSH103,215 区别
| 型号 | SI2304DDS-T1-GE3 | BSH103,215 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-SI2304DDS-T1-GE3 | A-BSH103,215 |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET | BSH103 Series 30 V 850 mA 400 mOhm N-Ch Enhancement Mode MOS Transistor-SOT-23-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 零件号别名 | SI2304DDS-GE3 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ | - |
| 上升时间 | 12ns | - |
| Qg-栅极电荷 | 6.7nC | - |
| 栅极电压Vgs | 1.2V | 8V |
| 正向跨导 - 最小值 | 11S | - |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C |
| 连续漏极电流Id | 3.6A | - |
| 配置 | Single | - |
| 输入电容 | - | 83pF |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | 5ns | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W | 0.5W |
| 输出电容 | - | 27pF |
| 典型关闭延迟时间 | 10ns | - |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 系列 | SI2 | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.7nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | 5ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,270 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
|
FDV303N | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 57,000 | 对比 |
|
BSH103,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V |
暂无价格 | 3,270 | 对比 |
|
MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
NTR4503NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3(TO-236-3) |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
|
NDS355AN | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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