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SI2304DDS-T1-GE3  与  FDV303N  区别

型号 SI2304DDS-T1-GE3 FDV303N
吃瓜编号 A3t-SI2304DDS-T1-GE3 A-FDV303N
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 350mW(Ta)
零件号别名 SI2304DDS-GE3 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ 450 毫欧 @ 500mA,4.5V
上升时间 12ns -
Qg-栅极电荷 6.7nC -
栅极电压Vgs 1.2V ±8V
正向跨导 - 最小值 11S -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.6A 680mA(Ta)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.7V,4.5V
下降时间 5ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 10V
漏源极电压Vds 30V 25V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W 350mW(Ta)
典型关闭延迟时间 10ns -
FET类型 - N-Channel
系列 SI2 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 15V 50pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V 2.3nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 5ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 57,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2304DDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V

暂无价格 0 当前型号
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 57,000 对比
BSH103,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V

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