SI4172DY-T1-GE3 与 FDS6690A 区别
隐藏相同项高亮不同项

规格信息
型号	SI4172DY-T1-GE3	FDS6690A
吃瓜编号	A3t-SI4172DY-T1-GE3	A-FDS6690A-3
制造商	Vishay	ON Semiconductor
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	Single N-Channel 30 V 0.012 Ohm 4.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8	N-Channel 30 V 12.5 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表	SI4172DY-T1-GE3.pdf	FDS6690A.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
封装/外壳	8-SOIC	SO-8
连续漏极电流Id	15A(Tc)	11A
工作温度	-55°C~150°C	-55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs	12 mOhms @ 11A,10V	12.5mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta),4.5W(Tc)	2.5W
Vgs(最大值)	±20V	-
Vgs(th)	2.5V @ 250uA	-
栅极电压Vgs	-	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
库存与单价
库存	0	10,000
工厂交货期	56 - 70天	3 - 5天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
SI4172DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	15A(Tc) N-Channel 12 mOhms @ 11A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V	暂无价格	0	当前型号
FDS6690A	ON Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel	暂无价格	10,000	对比
RXH100N03TB1	ROHM Semiconductor	数据手册	通用MOSFET		暂无价格	9	对比
FDS6690A	ON Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel	暂无价格	0	对比
IRF7455PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 7.5mΩ@15A,10V N-Channel 30V 15A 8-SO	暂无价格	0	对比
IRF7811AVPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	-55°C~150°C(TJ) 11.8A 14mΩ 3W	暂无价格	0	对比