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SI4172DY-T1-GE3  与  IRF7811AVPBF  区别

型号 SI4172DY-T1-GE3 IRF7811AVPBF
吃瓜编号 A3t-SI4172DY-T1-GE3 A-IRF7811AVPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 0.012 Ohm 4.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7811AVPBF, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 12 mOhms @ 11A,10V 14mΩ
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1V
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
封装/外壳 8-SOIC -
连续漏极电流Id 15A(Tc) 11.8A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
长度 - 5mm
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1801pF @ 10V
高度 - 1.50mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 43 ns
漏源极电压Vds 30V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 3W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 8.6 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4172DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

15A(Tc) N-Channel 12 mOhms @ 11A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
FDS6690A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel

暂无价格 10,000 对比
RXH100N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 9 对比
FDS6690A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRF7455PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 7.5mΩ@15A,10V N-Channel 30V 15A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7811AVPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 11.8A 14mΩ 3W

暂无价格 0 对比

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