首页 > 商品目录 > > > SIHFL014-GE3代替型号比较

SIHFL014-GE3  与  STN3NF06L  区别

型号 SIHFL014-GE3 STN3NF06L
吃瓜编号 A3t-SIHFL014-GE3 A3-STN3NF06L
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 100mΩ@1.5A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 3.3W(Tc)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - SOT-223
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4A
系列 - STripFET™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.8V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 340pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V,10V
库存与单价
库存 0 4,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHFL014-GE3 Vishay 未分类

暂无价格 0 当前型号
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 4,000 对比
STN3NF06 STMicro  数据手册 MOSFET

SOT-223

暂无价格 4,000 对比
IRLL014NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223

暂无价格 2,500 对比
IRFL024ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) 57.5mΩ@3.1A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 5.1A 55V SOT-223

暂无价格 2,500 对比
BSP320SL6327 Nexperia 未分类

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>