SIHFL110-GE3 与 IRFL4310PBF 区别
| 型号 | SIHFL110-GE3 | IRFL4310PBF |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-SIHFL110-GE3 | A-IRFL4310PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 1 W 25 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - SOT-223 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 200mΩ@1.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | SOT-223 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 2.2A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 330pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHFL110-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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FDT3612 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-3 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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STN2NF10 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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FQT7N10LTF | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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PHT4NQ10LT,135 | Nexperia | 通用MOSFET |
3.5A(Tc) ±16V 6.9W(Tc) 250m Ohms@1.75A,5V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA SC-73 N-Channel 100V 3.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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IRFL4310PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
浙公网安备 35021102001214号 浙ICP备2025171449号-1 增值电信业务经营许可证：浙B2-20200838
