SIR668DP-T1-RE3 与 BSC040N10NS5 区别
| 型号 | SIR668DP-T1-RE3 | BSC040N10NS5 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3t-SIR668DP-T1-RE3 | A-BSC040N10NS5 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 系列:OptiMOS™ | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.8 mOhms @ 20A,10V | 4mΩ@50A,10V |
| 上升时间 | - | 9ns |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| 开发套件 | - | EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7 |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W(Tc) | 139W |
| Qg-栅极电荷 | - | 58nC |
| Vgs(th) | 3.4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 60S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 32ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | PG-TDSON-8 |
| 连续漏极电流Id | 95A(Tc) | 100A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | SingleQuadDrainTripleSource |
| 系列 | - | OptiMOS™ |
| 长度 | - | 5.9mm |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 下降时间 | - | 10ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 13ns |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 5,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR668DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
95A(Tc) N-Channel 4.8 mOhms @ 20A,10V 104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSC040N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TDSON-8 100V 100A 4mΩ@50A,10V ±20V 139W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 5,000 | 对比 |
|
FDMS86181 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
PQFN-8 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
|
FDMS86181 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
PQFN-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSC035N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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