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SIR668DP-T1-RE3  与  FDMS86181  区别

型号 SIR668DP-T1-RE3 FDMS86181
吃瓜编号 A3t-SIR668DP-T1-RE3 A3-FDMS86181
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 吃瓜自营 吃瓜自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 100 V 44A(Ta),124A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) 8-PQFN(5x6)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 PQFN-8
连续漏极电流Id 95A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.8 mOhms @ 20A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 104W(Tc) -
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 3.4V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR668DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

95A(Tc) N-Channel 4.8 mOhms @ 20A,10V 104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V

暂无价格 0 当前型号
BSC040N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

PG-TDSON-8 100V 100A 4mΩ@50A,10V ±20V 139W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 5,000 对比
FDMS86181 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

PQFN-8

暂无价格 3,000 对比
FDMS86181 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

PQFN-8

暂无价格 0 对比
BSC035N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A

暂无价格 0 对比

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