STN2NF10 与 DMN10H220LE-13 区别
| 型号 | STN2NF10 | DMN10H220LE-13 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A3-STN2NF10 | A-DMN10H220LE-13 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 100 V 0.26 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet -SOT-223 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 220mΩ@1.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.8W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-223-4 | SOT-223 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 2.3A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 401pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.3nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 4,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STN2NF10 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 4,000 | 当前型号 |
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IRFM120ATF | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±20V 2.4W(Ta) 200mΩ@1.15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A 2.3 A 100 V 200 m0hms -20 V、+20 V 增强 6.7*3.7*1.7mm 370 pF @ 25 V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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IRFL4310TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFL4310PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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