STN2NF10 与 IRFL4310PBF 区别
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规格信息
型号	STN2NF10	IRFL4310PBF
吃瓜编号	A3-STN2NF10	A-IRFL4310PBF
制造商	STMicroelectronics	Infineon Technologies
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 100 V 0.26 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet -SOT-223	Single N-Channel 100 V 1 W 25 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - SOT-223
数据表	STN2NF10.pdf	IRFL4310PBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	-	200mΩ@1.6A,10V
漏源极电压Vds	-	100V
Pd-功率耗散(Max)	-	1W(Ta)
栅极电压Vgs	-	±20V
FET类型	-	N-Channel
封装/外壳	SOT-223-4	SOT-223
工作温度	-	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	-	2.2A
系列	-	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	330pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	25nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	330pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	25nC @ 10V
库存与单价
库存	4,000	0
工厂交货期	5 - 7天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
STN2NF10	STMicro	数据手册	MOSFET	SOT-223-4	暂无价格	4,000	当前型号
IRFM120ATF	ON Semiconductor		功率MOSFET	±20V 2.4W(Ta) 200mΩ@1.15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A 2.3 A 100 V 200 m0hms -20 V、+20 V 增强 6.73.71.7mm 370 pF @ 25 V	暂无价格	0	对比
IRFL4310TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223	暂无价格	0	对比
DMN10H220LE-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A	暂无价格	0	对比
DMN10H220LE-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A	暂无价格	0	对比
IRFL4310PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223	暂无价格	0	对比