STN2NF10 与 IRFM120ATF 区别
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规格信息
型号	STN2NF10	IRFM120ATF
吃瓜编号	A3-STN2NF10	A3t-IRFM120ATF
制造商	STMicroelectronics	ON Semiconductor
供应商	吃瓜自营	吃瓜自营
分类	MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 100 V 0.26 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet -SOT-223	MOSFET
数据表	STN2NF10.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	-	2.4W
宽度	-	3.7mm
Rds On(Max)@Id,Vgs	-	200 m0hms
引脚数目	-	3+Tab
最小栅阈值电压	-	2V
栅极电压Vgs	-	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOT-223-4	6.73.71.7mm
工作温度	-	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	-	2.3 A
长度	-	6.7mm
最低工作温度	-	-55 °C
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	10V
最高工作温度	-	+150 °C
每片芯片元件数目	-	1 Ohms
高度	-	1.7mm
类别	-	功率 MOSFET
典型关断延迟时间	-	36 ns
漏源极电压Vds	-	370 pF @ 25 V
晶体管材料	-	Si
Pd-功率耗散(Max)	-	2.4W(Ta)
晶体管配置	-	单
FET类型	-	增强
系列	-	IRFM
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	22nC @ 10V
典型接通延迟时间	-	14 ns
库存与单价
库存	4,000	0
工厂交货期	5 - 7天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
STN2NF10	STMicro	数据手册	MOSFET	SOT-223-4	暂无价格	4,000	当前型号
IRFM120ATF	ON Semiconductor		功率MOSFET	±20V 2.4W(Ta) 200mΩ@1.15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A 2.3 A 100 V 200 m0hms -20 V、+20 V 增强 6.73.71.7mm 370 pF @ 25 V	暂无价格	0	对比
IRFL4310TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223	暂无价格	0	对比
DMN10H220LE-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A	暂无价格	0	对比
DMN10H220LE-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A	暂无价格	0	对比
IRFL4310PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223	暂无价格	0	对比